탄소나노튜브 어레이(CNT 어레이)
제품개요
TANFENG 탄소 나노튜브 어레이는 수백만 개의 개별 나노튜브가 기판에서 고도로 방향성 있는 수직 정렬로 성장하는 혁신적인 형태의 탄소 나노튜브입니다. 이 독특한 아키텍처는 무작위로 분산된 CNT 분말로는 얻을 수 없는 이방성 특성을 잠금 해제합니다. 당사의 독자적인 CCVD(Catalytic Chemical Vapor Deposition) 프로세스를 통해 어레이의 밀도, 높이 및 나노튜브 품질을 정밀하게 제어할 수 있어 차세대 전자 장치, 열 관리 시스템 및 고급 센서를 위한 이상적인 구성 요소가 됩니다.{2}}
1. 제품 기본정보
제품 형태: 다양한 기판(실리콘, 석영, 금속박 등) 위에 성장한 탄소나노튜브의 빽빽한 수직 정렬 숲.
기본 유형: 다중-벽 탄소 나노튜브 어레이(MWCNT 어레이), 소수-벽 및 단일{2}}벽 어레이에 대한 선택적 사양 포함.
표준 기판 크기: 1cm x 1cm부터 6인치 웨이퍼까지 맞춤 제작 가능합니다. 요청 시 더 큰 형식도 제공됩니다.
주요 특징: 이방성 속성 - 속성은 정렬 축과 수직 축을 따라 크게 다릅니다.
2. 핵심 성능 매개변수
어레이 높이: 10 µm ~ 2,000 µm (±5% 공차로 맞춤 설정 가능).
면적 밀도: 10⁹ ~ 1011개의 튜브/cm²(기계적 규정 준수 및 표면적에 맞게 제어 가능)
CNT 직경: 5 nm ~ 50 nm(MWCNT의 경우), 직경 분포가 좁습니다.
청정: > 99% 탄소 순도(촉매 잔류물 < 1%).
열 안정성: 공기 중에서 최대 450도까지 안정적입니다. 불활성 분위기에서 최대 2800도.
3. 전기적 특성(체적 및 표면저항)
정렬된 구조는 뛰어난 방향성 전기 전도성을 제공합니다.
체적 저항률(-평면 통과): 낮은 만큼10⁻³Ω·cm 나노튜브 축을 따라. 이렇게 낮은 저항률은 TSV(실리콘 비아) 또는 배터리 전극과 같이 수직 전류 흐름이 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.
표면 저항률(시트 저항): 엔지니어링 가능< 10 Ω/sq to > 10⁶ Ω/sq, 배열 밀도, 높이 및 성장 후 처리-에 따라 달라집니다. 이는 유연성이 높은 투명 전도성 전극을 만드는 데 적합합니다.
4. 분산성 및 취급
현장 사용:- 어레이는 성장 기판에 직접 사용하도록 설계되어 재{0}}분산이 필요 없고 원래대로 정렬된 구조를 보존합니다.
건식-양도 가능: 어레이는 표준 스탬핑 기술을 사용하여 다른 대상 기판(예: 폴리머, 금속, 유리)으로 쉽게 건식으로 이동할 수 있으므로 유연한 하이브리드 장치에 통합할 수 있습니다.
솔루션 처리(선택 사항): 요청 시 어레이를 전단하여 코팅 용도에 적합한 분산성이 뛰어난 고농도 등방성 CNT 슬러리로 가공할 수 있습니다.
5. 물리적 특성
기계적 강도: 정렬된 구조는 1TPa(이론적)가 넘는 높은 탄성 계수와 탁월한 압축 강도를 나타내어 견고하면서도 유연한 스프링과 같은-재료로 작용합니다.
압축 회복: 어레이는 80% 이상의 변형률로 압축되고 탄력적으로 회복될 수 있으므로 압축 가능한 전도성 상호 연결 또는 충격 흡수 장치로 사용하기에 탁월합니다.
비표면적: 200 - 800m²/g(튜브 직경 및 어레이 간격에 따라 다름), 반응 및 흡착을 위한 넓은 표면을 제공합니다.
6. 응용 시나리오 및 산업
열 인터페이스 재료(TIM): Exploiting the ultra-high thermal conductivity (>튜브당 1000W/mK)를 축을 따라 만들어 CPU/GPU 냉각을 위한 고성능{1}}열 패드를 만듭니다.
전계 방출 장치: X-선관, 디스플레이 및 마이크로파 증폭기에서 안정적이고 낮은{0}}전압 전자 방출을 위해 정렬된 나노튜브의 날카로운 팁을 활용합니다.
고급 센서: 높은 표면적과 이방성 전기 반응으로 인해 매우 민감한 가스, 화학 및 생물학적 센서에 이상적입니다.
에너지 저장: 리튬-이온 배터리 양극 및 슈퍼커패시터 전극용 3D 스캐폴드로 사용되어 신속한 이온 이동과 높은 전하 저장을 촉진합니다.
마이크로 전자공학: 3D 집적 회로의 RC 지연을 줄이기 위한 관통-실리콘 비아(TSV)용 새로운 인터포저 재료입니다.
7. 원리 소개
성장 메커니즘은 신중하게 최적화된 CCVD 공정을 기반으로 합니다. 촉매(예: Fe, Co)의 얇은 필름이 기판에 증착됩니다. 탄소-함유 가스 분위기(예: C2H₄)에서 고온(600-900도)에서 촉매 나노입자가 가스를 분해하고 탄소 원자가 용해 및 침전되어 나노튜브를 형성합니다. 인접한 관 사이의 '군집 효과'와 반 데르 발스 힘으로 인해 관이 자기 지향적인 수직 정렬로 성장하여 빽빽한 숲과 같은 구조를 형성하게 됩니다.
8. 품질 관리 및 테스트 데이터
형태 제어: SEM 이미징은 모든 배치에 대한 정렬 균일성, 높이 및 밀도를 확인합니다.
구조적 무결성: 라만 분광법(G/D 밴드 비율 > 10)은 높은 흑연 품질과 낮은 결함 밀도를 확인합니다.
전기적 검증:-내부 4점 프로브 테스트는 분석 인증서(CoA)에 제공된 데이터를 사용하여 시트 저항과 저항 값을 검증합니다.
배치 일관성: 통계적 공정 제어(SPC)는 웨이퍼 전반에 걸쳐 배치마다 주요 매개변수(높이, 저항)의 변화를 최소화하기 위해 구현됩니다.
9. 포장
배송 및 보관 중에 섬세하고 정렬된 구조를 보호하려면 다음을 수행하십시오.
기본 포장: CNT 어레이가 포함된 기판은 정전기 방지, 고정밀{0}}웨이퍼 캐리어 또는 맞춤형으로 설계된 -진공-밀봉 트레이에 안전하게 장착됩니다.
2차 포장: 건조제가 포함된 밀봉된 방습-알루미늄 파우치 안에 넣습니다.
3차 포장: 기계적 손상을 방지하기 위해 강화된 충격-흡수 상자에 담겨 배송됩니다.
10. 회사의 강점
TANFENG는 고급 탄소 나노구조 합성 분야에서 세계적으로 인정받는 선두업체입니다. 우리의 최첨단-최신-클래스 100 클린룸 시설에는 맞춤형으로 제작된-대형-CNT 배열 성장 반응기가 있습니다. 박사급 과학자 및 엔지니어로 구성된 전담 팀과 함께 우리는 실험실 호기심에서 상업적으로 실행 가능한 제품에 이르기까지 고품질 정렬 CNT 어레이의 확장을 개척했습니다.- 우리는 촉매 설계 및 성장 프로세스에 대한 수많은 특허를 보유하고 있어 가장 까다로운 응용 분야 요구 사항을 충족할 수 있는 탁월한 제품 성능과 맞춤화 기능을 제공할 수 있습니다. R&D에 대한 우리의 헌신은 우리가 CNT 어레이 기술의 선두에 서도록 보장합니다.
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